IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下的区段具有______的温度系数,在1/2或1/3额定电流以上的区段则具有______的温度系数,因而IGBT在______使用时也具有电流的自动均衡能力。
IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下的区段具有______的温度系数,在1/2或1/3额定电流以上的区段则具有______的温度系数,因而IGBT在______使用时也具有电流的自动均衡能力。
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下列不是IGBT并联运行的特点的是( )A.在1/2或1/3额定电流以下的区段,通态降压具有负的温度系数B.在1/2或1/3额定电流以上的区段,通态降压具有正的温度系数C.并联使用时具有电流的自动均衡能力D.串联使用时具有电流的自动均衡能力
2、在大功率变换器中,单管的电压、电流可能不能满足要求,需要进行器件的串、并联使用,以下有关器件串联和并联的说法,正确的是:A.一组器件的驱动信号要尽量保持一致B.MOSFET不适合并联使用C.BJT的导通电阻具有正温度系数D.IGBT在电流较大时具有负温度系数
下列关于IGBT的工作原理,说法正确的是()A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断
10、MOSFET和IGBT并联运行,表述正确的是下面哪一个?A.型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。B.型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。C.型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。D.型号相同的MOSFET可以并联运行;IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
下列关于IGBT的工作原理,说法正确的是()A.IGBT是一种场控器件,其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。B.IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时,MOS管中形成导电沟,为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。C.由于GTR具有电导调制效应,导通电阻小,使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。D.当IGBT的栅极不加信号或施加反压时,MOS管导电沟道消失,晶体管被切断,使得IGBT关断。