型号为2AK二极管是()二极管。 A、锗开关B、锗普通C、硅普通D、硅开关
硅管比锗管受温度影响()。 A.较大B.较小C.相同
半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。() 此题为判断题(对，错)。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。A、正向电流B、反向电流C、正向电阻D、反向电阻
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。
由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
国产晶体管2CW表示（）。A、N型硅材料微波管B、P型锗材料稳压管C、N型硅材料稳压管D、P型锗材料微波管
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
按制作三极管的基片材料分，三极管可分为（）两大类。A、硅管和锗管B、硅管和铝管C、锗管和铝管D、铝管和锌管
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。A、高B、低C、相等D、不定
NPN三极管为（）。A、硅三极管B、锗三极管C、可能是硅管或是锗管D、场效应管
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A对B错
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右