在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
杂质半导体中的少数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关
单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A温度B杂质浓度C电子空穴对数目D都不是