在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
单选题在P型半导体中多数载流子是（）。A电子B离子C空穴D杂质
填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。