杂质半导体中的少数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

杂质半导体中的少数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷

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在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．无
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度与（）有很大关系。A．杂质浓度；环境温度；B．环境温度；杂质浓度；C．杂质浓度；外加电场；D．杂质价态；杂质浓度；
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。A．温度B．杂质浓度C．晶体缺陷D．掺杂工艺
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 （A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）A．ABB．BCC．CAD．CB
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4、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体缺陷
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4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度A．ABB．ACC．ADD．CA
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在杂质半导体中少数载流子的浓度主要取决于（).A．杂质浓度B．掺杂工艺C．温度D．晶体缺陷
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度A．ABB．ACC．ADD．CA
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