单选题杂质半导体中少数载流子浓度()A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关

单选题
杂质半导体中少数载流子浓度()
A

与掺杂浓度和温度无关

B

只与掺杂浓度有关

C

只与温度有关

D

与掺杂浓度和温度有关


参考解析

解析: 暂无解析

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在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

杂质半导体中的少数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子

在N型杂质半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷

本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().

在杂质半导体中,少数载流子的浓度与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷

在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是

填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()A温度B杂质浓度C电子空穴对数目D都不是

填空题()是半导体单晶重要电学参数之一,它反映了补偿后的杂质浓度,与半导体中的载流子浓度有直接关系。