在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷E.空穴F.自由电子

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子


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在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度与()有很大关系。A.杂质浓度;环境温度;B.环境温度;杂质浓度;C.杂质浓度;外加电场;D.杂质价态;杂质浓度;

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要和()有很大关系。A.光照B.温度C.掺杂类型与浓度D.热辐射

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度。

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 (A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度)A.ABB.BCC.CAD.CB

4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度A.ABB.ACC.ADD.CA

1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度与()有很大关系。A.杂质浓度;环境温度;B.环境温度;杂质浓度;C.杂质浓度;外加电场;D.杂质价态;杂质浓度;

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度A.ABB.ACC.ADD.CA

26、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。