在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度

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在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压

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杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷

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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____A．温度B．杂质浓度C．掺杂工艺D．无

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在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于。A．杂质浓度B．温度C．本征半导体D．掺杂工艺

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5、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷

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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A．掺杂浓度B．温度C．光照强度D．其它

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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。（A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）A．ABB．BCC．CAD．CB

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在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。

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8、在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。

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