11、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时,易形成混晶。

11、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时,易形成混晶。


参考答案和解析
正确

相关考题:

在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附

在黏土矿物的形成过程中,常常发生半径相近的离子取代一部分铝(Ⅲ)或硅(Ⅳ)的现象,即同晶置换作用。下列说法正确的是() A、与Al3+离子半径相近的阴离子也可发生同晶置换B、所有同晶置换都可使晶体内部电荷不平衡而带负电,因而能吸附阳离子C、发生同晶置换后的晶体构造并未改变D、高岭石富含钾(K2O4~7%),就是发生了同晶置换的结果

有关络合物描述正确的是()A.配位离子与带有相同电荷的离子形成的化合物B.配位离子与带有相反电荷的离子形成的电中性化合物C.配位离子与带有相同电荷的离子形成双电层化合物D.配位离子与带有相反电荷的离子形成双电层化合物E.配位离子与中性分子形成电中性化合物

杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附

陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子,但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。()

同周期元素离子电子层构型相同时,随离子电荷数增加,阳离子半径(),阴离子半径()

造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子

土壤结晶矿物结构中某种原子或离子,部分地被直径大小、电价相近的其它离子或原子取代,晶体构型改变的现象叫同晶替代。

如果正离子的电子层结构类型相同,在下述几种情况中极化力较大的是()A、离子的电荷多、半径大B、离子的电荷多、半径小C、离子的电荷少、半径大D、离子的电荷少、半径小

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

离子晶体晶格能大小仅与离子电荷、离子半径有关。

混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

固溶体的晶体结构特点是()。A、与溶剂相同B、与溶质相同C、形成新的晶型D、各自保持各自的晶型

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

构晶离子的定向速度决定于()A、沉淀剂的浓度B、样品溶液的温度C、构晶离子的电量D、构晶离子组成沉淀物的极性

在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

在沉淀形成过程中,与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀

重量分析中,若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀

根据离子交换树脂选择性顺序的规律,水中离子所带()越多,越易被吸附,当离子所带电荷相同时()越大,越易被吸附。

单选题凡组成相同,结构相同而趋向不同的晶体间形成的接触面为()A相界B表面C晶界D间隙

多选题离子晶体中晶界电荷的产生是由()引起的。A阴、阳离子的空位形成能不同B阴、阳离子的填隙形成能不同C溶质D两种溶质

填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

单选题重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A构晶离子B高价离子C极化程度大的离子D浓度大的离子

单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A混晶B吸留C包藏D后沉淀

单选题构晶离子的定向速度决定于()A沉淀剂的浓度B样品溶液的温度C构晶离子的电量D构晶离子组成沉淀物的极性

单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀