混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。


相关考题:

在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

在黏土矿物的形成过程中,常常发生半径相近的离子取代一部分铝(Ⅲ)或硅(Ⅳ)的现象,即同晶置换作用。下列说法正确的是() A、与Al3+离子半径相近的阴离子也可发生同晶置换B、所有同晶置换都可使晶体内部电荷不平衡而带负电,因而能吸附阳离子C、发生同晶置换后的晶体构造并未改变D、高岭石富含钾(K2O4~7%),就是发生了同晶置换的结果

由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。此题为判断题(对,错)。

有关络合物描述正确的是()A.配位离子与带有相同电荷的离子形成的化合物B.配位离子与带有相反电荷的离子形成的电中性化合物C.配位离子与带有相同电荷的离子形成双电层化合物D.配位离子与带有相反电荷的离子形成双电层化合物E.配位离子与中性分子形成电中性化合物

如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,就可能形成()。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶

陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子,但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。()

锂和镁的性质相似是由于()A、离子极化力相似B、阳离子电荷相同,半径增大,值减小,极化力减小C、相同电荷的阳离子半径增大,晶格能减小D、阳离子半径减小,电荷高,值大

具有相同电子层结构的离子,阳离子半径总是大于阴离子半径。

造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。

下列有关沉淀纯净叙述错误的是()。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀

溶液中离子浓度相近时,离子半径大的吸附就()。A、强B、弱C、与半径无关D、无法判断

重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

离子晶体晶格能大小仅与离子电荷、离子半径有关。

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

仅依据离子晶体中正离子半径的相对大小即可决定晶体的晶格类型。

沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。

在沉淀形成过程中,与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀

重量分析中,若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀

填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

单选题重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A构晶离子B高价离子C极化程度大的离子D浓度大的离子

单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A混晶B吸留C包藏D后沉淀

单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A后沉淀B机械吸留C包藏D混晶

单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀