单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀

单选题
如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）
A

表面吸附

B

混晶

C

机械吸留

D

后沉淀

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重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
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同族元素电荷数相同的离子，电子层数越多，离子半径是越（）
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Ra2+与Ba2+的离子结构相似，因此可以利用BaSO4沉淀从溶液中富集微量Ra2+，这种富集方式是利用了（）A、混晶共沉淀B、包夹共沉淀C、表面吸附共沉淀D、固体萃取共沉淀
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如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
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离子晶体晶格能大小仅与离子电荷、离子半径有关。
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混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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构晶离子的定向速度决定于（）A、沉淀剂的浓度B、样品溶液的温度C、构晶离子的电量D、构晶离子组成沉淀物的极性
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在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
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