杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附

杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。

  • A、混晶
  • B、吸留
  • C、混杂
  • D、吸附

相关考题：

在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
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用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
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杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附
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在黏土矿物的形成过程中,常常发生半径相近的离子取代一部分铝(Ⅲ)或硅(Ⅳ)的现象,即同晶置换作用。下列说法正确的是() A、与Al3+离子半径相近的阴离子也可发生同晶置换B、所有同晶置换都可使晶体内部电荷不平衡而带负电，因而能吸附阳离子C、发生同晶置换后的晶体构造并未改变D、高岭石富含钾(K2O4~7%)，就是发生了同晶置换的结果
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沉淀重量法在进行沉淀反应时，某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫（）现象，其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有（）和（）。
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如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
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陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
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共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏
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陈化可增大晶体颗粒，并能除去被吸留的杂质。
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形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
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下列有关洗涤沉淀的叙述，错误的是（）。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多，洗涤效果愈好，但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多，洗涤效果愈好。
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共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。
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在重量分析中，下面说法（）是错误的。A、杂质浓度越大，则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀，颗粒越大，则总表面越大，吸附杂质的量越多C、溶液温度升高，吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时，沉淀迅速长大，易使得杂质离子被包藏在沉淀内部
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下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
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重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
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如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
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混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
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沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
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重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
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单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A混晶B吸留C包藏D后沉淀
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单选题重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A构晶离子B高价离子C极化程度大的离子D浓度大的离子
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单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A后沉淀B机械吸留C包藏D混晶
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填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀
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