在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
关于吸附共沉淀下列说法错误的是:()A、沉淀表面积越大越易吸附B、电荷高浓度大的离子易被吸附C、沉淀颗粒越小吸附越严重D、吸附是一个放热过程E、颗粒大的沉淀吸附现象严重
在黏土矿物的形成过程中,常常发生半径相近的离子取代一部分铝(Ⅲ)或硅(Ⅳ)的现象,即同晶置换作用。下列说法正确的是() A、与Al3+离子半径相近的阴离子也可发生同晶置换B、所有同晶置换都可使晶体内部电荷不平衡而带负电，因而能吸附阳离子C、发生同晶置换后的晶体构造并未改变D、高岭石富含钾(K2O4~7%)，就是发生了同晶置换的结果
关于明矾除杂质的原理错误的解释是（）A、钾离子的吸附作用B、铝离子的共沉淀作用C、硫酸根离子的吸附作用D、钾离子的共沉淀作用E、硫酸根离子的共沉淀作用
如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
锂和镁的性质相似是由于（）A、离子极化力相似B、阳离子电荷相同，半径增大，值减小，极化力减小C、相同电荷的阳离子半径增大，晶格能减小D、阳离子半径减小，电荷高，值大
同周期元素离子电子层构型相同时，随离子电荷数增加，阳离子半径（），阴离子半径（）
造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
同族元素电荷数相同的离子，电子层数越多，离子半径是越（）
Ra2+与Ba2+的离子结构相似，因此可以利用BaSO4沉淀从溶液中富集微量Ra2+，这种富集方式是利用了（）A、混晶共沉淀B、包夹共沉淀C、表面吸附共沉淀D、固体萃取共沉淀
如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
构晶离子的定向速度决定于（）A、沉淀剂的浓度B、样品溶液的温度C、构晶离子的电量D、构晶离子组成沉淀物的极性
在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
共沉淀分离根据共沉淀剂性质可分为混晶共沉淀分离和胶体凝聚共沉淀分离。
在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
单选题重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A构晶离子B高价离子C极化程度大的离子D浓度大的离子
单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A混晶B吸留C包藏D后沉淀
单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A后沉淀B机械吸留C包藏D混晶
单选题构晶离子的定向速度决定于（）A沉淀剂的浓度B样品溶液的温度C构晶离子的电量D构晶离子组成沉淀物的极性
多选题关于明矾除杂质的原理错误的解释是（）A钾离子的吸附作用B铝离子的共沉淀作用C硫酸根离子的吸附作用D钾离子的共沉淀作用E硫酸根离子的共沉淀作用
单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀