多选题离子晶体中晶界电荷的产生是由()引起的。A阴、阳离子的空位形成能不同B阴、阳离子的填隙形成能不同C溶质D两种溶质

多选题
离子晶体中晶界电荷的产生是由()引起的。
A

阴、阳离子的空位形成能不同

B

阴、阳离子的填隙形成能不同

C

溶质

D

两种溶质


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在黏土矿物的形成过程中,常常发生半径相近的离子取代一部分铝(Ⅲ)或硅(Ⅳ)的现象,即同晶置换作用。下列说法正确的是() A、与Al3+离子半径相近的阴离子也可发生同晶置换B、所有同晶置换都可使晶体内部电荷不平衡而带负电,因而能吸附阳离子C、发生同晶置换后的晶体构造并未改变D、高岭石富含钾(K2O4~7%),就是发生了同晶置换的结果

在金属晶体缺陷中,属于面缺陷的有()。A、间隙原子B、位错,位移C、晶界,亚晶界D、缩孔,缩松

晶体的线缺陷包括()。A、空位B、晶界C、亚晶界D、位错

下列各种说法中哪个不正确?()A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

铬镍奥氏体不锈钢产生晶间腐蚀的原因是()。A、晶体内富镍B、晶界贫镍C、晶界富铬D、晶界贫铬

晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的()A、面缺陷B、体缺陷C、线缺陷D、点缺陷

下列关于晶界的说法哪种是错误的()。A、晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B、晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C、晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D、晶界易受腐蚀

金属晶体中最主要的面缺陷是()。A、晶界B、亚晶界C、超晶界D、次晶界

由黏土矿物晶格内部离子同晶置换所产生的电荷叫()A、永久电荷B、可变电荷C、静电荷D、正电荷

由同晶代换引起的电荷叫()电荷。

下列说法不正确的是()。A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

实际晶体强度远远低于理论强度的原因,是由于实际晶体中存在大量的()A、晶界B、亚晶界C、空位D、位错

由LaF3单晶片制成的氟离子选择电极,晶体中()是电荷的传递者,()是固定在膜相中不参与电荷的传递,内参比电极是(),内参比电极由()组成。

晶体中的面缺陷主要是指()A、空位B、位错C、晶界D、间隙原子E、亚晶界

什么是单晶体.多晶体.晶粒和晶界?

单选题在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。A低于B高于C等于D不确定

多选题金属晶体中最主要的面缺陷是()。A晶界B亚晶界C超晶界D次晶界

多选题晶体中的面缺陷主要是指()A空位B位错C晶界D间隙原子E亚晶界

填空题在水溶液中,三价铬络离子所带的电荷数量和电荷符号是由络离子内界中()的性质和数量决定。

单选题实际晶体强度远远低于理论强度的原因,是由于实际晶体中存在大量的()A晶界B亚晶界C空位D位错

单选题下列说法不正确的是()。A离子晶体在熔融时能导电B离子晶体的水溶液能导电C离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

填空题由同晶代换引起的电荷叫()电荷。

单选题晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的()A面缺陷B体缺陷C线缺陷D点缺陷

单选题下列关于晶界的说法哪种是错误的()。A晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D晶界易受腐蚀

填空题多晶体内晶界对塑性变形有较大的阻碍作用,这是因为晶界处原子排列比较紊乱,阻碍了()的移动,所以晶界越多,多晶体的()越大。

单选题在矿物晶格内因同晶替代所产生的电荷,由于同晶代替是在矿物形成时产生的,因而这种电荷在产生后就不会改变,称为()A永久电荷B可变电荷C不变电荷D持续电荷

单选题下列因素对离子晶体晶格能产生影响最大的是(  )。A正、负离子的半径比B正、负离子所带的电荷C晶体类型D正、负离子的配位数