利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
LED地材料制备包括什么?() A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长
文章写作中，概念的外延很广，根据不同标准可分为：_________和观念性材料，个别材料和_________，_________和现实材料，正面材料和反面材料，一手材料和_________。
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
FET的主要材料是（）。A、钢B、硅C、砷化镓D、铝合金
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长
简述薄膜材料的形成过程，什么是分子束外延？什么是超晶格？
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
（）是最常用的一种半导体材料。A、砷化镓B、硅C、磷D、锢
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A对B错
填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A对B错
问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？
问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？
问答题比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A对B错
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对B错
填空题半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。