每一个概念都包括内涵与外延两个方面。概念的内涵和外延的关系是( )A.内涵越大，外延越大B.内涵越小，外延越小C.内涵越大，外延越小D.内涵越小，外延越大
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
划分后各子项外延之和大于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。
讲清概念的方法是（）。A、扩大外延、扩大内涵B、扩大外延，减少内涵C、减少外延、减少内涵D、减少外延，扩大内涵
“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
任何一个概念都有它的内涵和外延，外延的大小与内涵成反比关系。内涵越多，外延就越小；内涵越少，外延就越大。
判断题划分子项的外延之和必须等于划分母项的外延。A对B错
问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？
填空题“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
问答题什么叫做分子束外延？什么叫做同质外延？什么叫做异质外延？
单选题讲清概念的方法是（）。A扩大外延、扩大内涵B扩大外延，减少内涵C减少外延、减少内涵D减少外延，扩大内涵
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
问答题简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对B错
单选题要讲清楚一个概念，正确的方法是（）。A尽量减小外延，扩大内涵B尽量减小外延和内涵C尽量扩大外延，减小内涵D尽量扩大外延和内涵