问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么?

问答题
金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么?

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相关考题:

利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?

金属是导电的物质,分为贵重金属(如金、银)和一般金属(如铜、铁)。上述语句中划横线的部分,对于“金属”这个概念来说() A. 明确了内涵,但没有明确外延B. 没有明确内涵,但明确了外延C. 明确了内涵,并且明确了外延D. 没有明确内涵,并且没有明确外延

LED地材料制备包括什么?() A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长

一般选择载气的依据是什么?气相色谱常用的载气有哪些?

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。

硅外延生长工艺包括()。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度,生长压力,生长速度D、尾气的处理

延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。

LED的材料制备包括什么()。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长

为保证气缸进气充分和排气彻底,一般配气相的选择是什么?为什么要这样?

什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的问题?

简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?

对气相色谱柱分离度影响的最大因素是什么?

土是由()组成的三相体系。A、固相B、砂石C、气相D、液相E、有机物质

问答题简述硅气相外延的过程?

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问答题外延生长有哪些显著优点?

判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A对B错

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问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?

问答题简述气相外延生长(VPE,vapor phase epitoxy)的原理。

问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延?

填空题硅气相外延的硅源有()、()、()、()等。

名词解释题浮生(外延生长)

问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。A对B错