判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。A对B错

判断题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。
A

B


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相关考题:

利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?

LED地材料制备包括什么?() A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长

每一个概念都包括内涵与外延两个方面。概念的内涵和外延的关系是( )A.内涵越大,外延越大B.内涵越小,外延越小C.内涵越大,外延越小D.内涵越小,外延越大

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。

在SOP中,断定全部外延的是(),没有断定全部外延的是()。

硅外延生长工艺包括()。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度,生长压力,生长速度D、尾气的处理

什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?

延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。

LED的材料制备包括什么()。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长

目前LED产业链主要包括()。A、衬底制造B、外延及芯片制造C、封装D、应用

从患者或模体向外延伸后的剂量计算区域称为()A、剂量外延B、剂量热区C、延伸模体D、模体外延E、模体热区

“多出子项”指的是子项的外延之和()母项的外延;“划分不全”指的是子项的外延之和()母项的外延。

地线接地电阻超标时,应采取埋深接地体、设置外延接地体、换土、在接地体周围添加降阻剂、及采用新技术、新材料等措施。

判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。A对B错

填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为:()、()、()。

填空题在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。

单选题种属关系在逻辑学中,将外延较大的概念称为属概念,外延较小的概念称为种概念。种属关系是指外延较小的种概念对于外延较大的属概念的关系,如“哺乳动物”与“动物”。幼儿教师:教师A茶壶:茶杯B宋体:字体C幼儿:幼儿园D火车:司机

判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A对B错

问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?

问答题异质外延对衬底和外延层有什么要求?

填空题“多出子项”指的是子项的外延之和()母项的外延;“划分不全”指的是子项的外延之和()母项的外延。

问答题什么是外延层?为什么硅片上要使用外延层?

判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。A对B错

问答题什么是外延层?为什么在硅片上使用外延层?

填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

问答题什么是外延层,为什么在硅片上使用它?