渗透泵型片剂可分为_________片，目前最常用的半透膜材料是_________。双室渗透片适于制备_________或__________药物的渗透泵片。
制备口服缓控释制剂，可选用( )A、制成渗透泵片B、蜡类为基质做成溶蚀性骨架片C、用PEG类作基质制备固体分散体D、用不溶性材料作骨架制备片剂E、用EC包衣制成微丸，装入胶囊
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
LED地材料制备包括什么?() A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长
制备口服缓控释制剂，不可选用A:制成渗透泵片B:用蜡类为基质做成溶蚀性骨架片C:用PEG类作基质制备固体分散体D:用不溶性材料作骨架制备片剂E:用EC包衣制成微丸，装入胶囊
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
目前LED产业链主要包括（）。A、衬底制造B、外延及芯片制造C、封装D、应用
渗透泵型片剂可分为（）片，目前最常用的半透膜材料是（）。双室渗透泵片适于制备（）或（）药物的渗透泵片。
电石是用来（）的材料之一。A、发电B、制备乙炔C、制备乙烯D、制备氧气
制备包合物常用的包合材料是什么？包合物的制备方法有哪些？
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A对B错
问答题制备包合物常用的包合材料是什么？包合物的制备方法有哪些？
问答题什么是纳米材料？简述纳米材料的主要制备方法和工艺。
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A对B错
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A对B错
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对B错
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
问答题制备金属基体复合材料时，制备工艺的选择原则？金属基复合材料的制造难点是什么？