典型土壤剖面可划为三个基本层:A层:地表最上端,腐殖质在这一层聚积;B层:粘粒在这里淀积,称淀积层或过渡层;C层:不同程度风化物构成,称为母质层。() 此题为判断题(对，错)。
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
LED地材料制备包括什么?() A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长
俄国土壤学家道恰耶夫最早把土壤剖面分为三个发生层，即表土层、淀积层（聚积层）、（）
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。A、非晶层B、单晶层C、多晶层D、超晶层
LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长
台阶面层包括踏步及最上一层踏步外延（）mm。A、100B、200C、300D、400
HIT电池片是在（）单晶电池片的两面形成（）层制造的。
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A对B错
填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
单选题半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A①②④B①②③④C②③④D③④
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A对B错
填空题俄国土壤学家道恰耶夫最早把土壤剖面分为三个发生层，即表土层、淀积层（聚积层）、（）
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对B错