4、增强型NMOS的阈值电压() 0,且当VGS() VT时,MOS管才导通A.大于,小于B.大于,大于C.小于,大于D.小于,小于
4、增强型NMOS的阈值电压() 0,且当VGS() VT时,MOS管才导通
A.大于,小于
B.大于,大于
C.小于,大于
D.小于,小于
参考答案和解析
正确
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全桥式功率变换电路中当一组高压开关管(VT1,VT4)导通时,截止品体管(VT2,VT3)上施加的电压即为输入电压E,当所有晶体管均截止时,同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压(即E/2)。
CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
判断题全桥式功率变换电路中当一组高压开关管(VT1,VT4)导通时,截止品体管(VT2,VT3)上施加的电压即为输入电压E,当所有晶体管均截止时,同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压(即E/2)。A对B错
单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压()A大于零B等于零C大于0.7VD小于零