单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A积累B耗尽C导通D夹断

单选题
当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。
A

积累

B

耗尽

C

导通

D

夹断

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当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。() 此题为判断题(对，错)。
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三极管工作在()可被等效为开关的断开、闭合状态、 A、饱和区、截止区B、饱和区、放大区C、截止区、饱和区D、截止区、放大区
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MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为开关器件。
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根据放大器的工作状态，通常把放大器分为A、B、C、D等类别。B类放大器是指（）A、放大器件在半个信号周期内工作点处于线性区、另半个信号周期内处于截止区的放大器B、放大器件在整个信号周期内始终工作在线性区的放大器C、放大器件在半个信号周期内处于截止区，另半个周期的部分时间候处于饱和区的放大器D、放大器件在半个信号周期内处于截止区，另半个周期处于饱和区的放大器
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放大器分为A、B、C、D等类别。D类放大器是指（）A、放大器件在半个信号周期内处于截止区，另半个周期处于饱和区的放大器B、放大器件在整个信号周期内始终工作在线性区的放大器C、放大器件在半个信号周期内工作点处于线性区、另半个信号周期内处于截止区的放大器D、放大器件在半个信号周期内处于截止区，另半个周期的部分时间候处于饱和区的放大器
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放大器分为A、B、C、D等类别。A类放大器是指（）A、放大器件在整个信号周期内始终工作在线性区的放大器B、放大器件在半个信号周期内工作点处于线性区、另半个信号周期内处于截止区的放大器C、放大器件在半个信号周期内处于截止区，另半个周期的部分时间候处于饱和区的放大器D、放大器件在半个信号周期内处于截止区，另半个周期处于饱和区的放大器
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当三极管的发射结和集电结都处于正偏状态时，三极管一定工作在饱和区。
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为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在（）状态。当器件的工作频率较高时，（）损耗会成为主要的损耗。
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在脉冲电路中，三极管主要工作在（）三极管的这种工作状态通常称为开关工作状态。A、放大区B、截止区和饱和区C、饱和区D、截止区
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当三极管工作在（）区时，相当于开关闭合状态。A、截止B、放大C、饱和
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当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
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场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被（）的工作区。
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当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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电力电子器件主要工作在（）状态下。A、放大B、饱和C、开关D、截止
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晶体三极管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区；场效应管是（）控制器件，用于放大时，工作在（）区
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大功率晶体管GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，其工作过程总是在（）之间进行交替的A、放大状态和饱和状态B、饱和状态和低阻状态C、放大状态和截止状态D、饱和状态和截止状态
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单选题当三极管工作在（）区时，相当于开关闭合状态。A截止B放大C饱和
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填空题为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在（）状态。当器件的工作频率较高时，（）损耗会成为主要的损耗。
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判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错
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单选题电力电子器件主要工作在（）状态下。A放大B饱和C开关D截止
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