单选题当NMOS器件工作在饱和区时,沟道出于()状态。A积累B耗尽C导通D夹断

单选题
当NMOS器件工作在饱和区时,沟道出于()状态。
A

积累

B

耗尽

C

导通

D

夹断


参考解析

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相关考题:

当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。() 此题为判断题(对,错)。

三极管工作在()可被等效为开关的断开、闭合状态、 A、饱和区、截止区B、饱和区、放大区C、截止区、饱和区D、截止区、放大区

MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对,错)。

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

开关式放大器中,输出级的功率器件工作在开关状态,即不是饱和导通状态就是截止状态。() 此题为判断题(对,错)。

工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为开关器件。

运算放大器工作在()。A、线性工作区B、正饱和区C、负饱和区D、状态不定

根据放大器的工作状态,通常把放大器分为A、B、C、D等类别。B类放大器是指()A、放大器件在半个信号周期内工作点处于线性区、另半个信号周期内处于截止区的放大器B、放大器件在整个信号周期内始终工作在线性区的放大器C、放大器件在半个信号周期内处于截止区,另半个周期的部分时间候处于饱和区的放大器D、放大器件在半个信号周期内处于截止区,另半个周期处于饱和区的放大器

放大器分为A、B、C、D等类别。D类放大器是指()A、放大器件在半个信号周期内处于截止区,另半个周期处于饱和区的放大器B、放大器件在整个信号周期内始终工作在线性区的放大器C、放大器件在半个信号周期内工作点处于线性区、另半个信号周期内处于截止区的放大器D、放大器件在半个信号周期内处于截止区,另半个周期的部分时间候处于饱和区的放大器

放大器分为A、B、C、D等类别。A类放大器是指()A、放大器件在整个信号周期内始终工作在线性区的放大器B、放大器件在半个信号周期内工作点处于线性区、另半个信号周期内处于截止区的放大器C、放大器件在半个信号周期内处于截止区,另半个周期的部分时间候处于饱和区的放大器D、放大器件在半个信号周期内处于截止区,另半个周期处于饱和区的放大器

当三极管的发射结和集电结都处于正偏状态时,三极管一定工作在饱和区。

为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在()状态。当器件的工作频率较高时,()损耗会成为主要的损耗。

在脉冲电路中,三极管主要工作在()三极管的这种工作状态通常称为开关工作状态。A、放大区B、截止区和饱和区C、饱和区D、截止区

当三极管工作在()区时,相当于开关闭合状态。A、截止B、放大C、饱和

当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时,晶体管一定工作在饱和区。()

场效应管的非饱和区又称变阻区,它是沟道未被()的工作区。

当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管

下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

电力电子器件主要工作在()状态下。A、放大B、饱和C、开关D、截止

晶体三极管是()控制器件,用于放大时,工作在()区;场效应管是()控制器件,用于放大时,工作在()区

大功率晶体管GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的,其工作过程总是在()之间进行交替的A、放大状态和饱和状态B、饱和状态和低阻状态C、放大状态和截止状态D、饱和状态和截止状态

单选题当三极管工作在()区时,相当于开关闭合状态。A截止B放大C饱和

填空题为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在()状态。当器件的工作频率较高时,()损耗会成为主要的损耗。

单选题在脉冲电路中,三极管主要工作在()三极管的这种工作状态通常称为开关工作状态。A放大区B截止区和饱和区C饱和区D截止区

判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错

单选题电力电子器件主要工作在()状态下。A放大B饱和C开关D截止

单选题在短沟道MOS器件中,当器件工作在饱和区,源漏电压升高,会使源漏电流()A增大B减小C不变D先减小后增大