气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。A．①②③B．①③②C．②①③D．③①②

气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。

A．①②③

B．①③②

C．②①③

D．③①②

参考答案和解析
①③②

相关考题：

下列关于胎盘组成的叙述，正确的是( )A、平滑绒毛膜+包蜕膜+羊膜B、平滑绒毛膜+底蜕膜+真蜕膜C、叶状绒毛膜+包蜕膜+真蜕膜D、叶状绒毛膜+底蜕膜+羊膜E、叶状绒毛膜+真蜕膜+底蜕膜
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有关胎盘的组织下列哪项是正确的A．平滑绒毛膜、包蜕膜、羊膜B．平滑绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜C．叶状绒毛膜、包蜕膜、真蜕膜D．叶状绒毛膜、底蜕膜、羊膜E．叶状绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜
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不可以作为芯片固相载体的有A、玻片B、硝酸纤维素膜C、硅片D、尼龙膜E、滤纸
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关于胎盘的组成,正确的是()。 A.羊膜、平滑绒毛膜、真蜕膜B.羊膜、叶状绒毛膜、真蜕膜C.羊膜、叶状绒毛膜、底蜕膜D.羊膜、平滑绒毛膜、底蜕膜E.羊膜、底蜕膜
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“要向硅片挑战，DNA还有很长的路要走”的意思是（ ）。A.DNA的计算速度远远落后于硅片B.硅片的工作效率低于DNAC.DNA的配置不如硅片D.DNA蕴含的信息不如硅片蕴含的信息多
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胎盘的组成，正确的是A、滑泽绒毛膜+包蜕膜+羊膜B、滑泽绒毛膜+底蜕膜+真蜕膜C、叶状绒毛膜+包蜕膜+真蜕膜D、叶状绒毛膜+底蜕膜+羊膜E、叶状绒毛膜+真蜕膜+底蜕膜
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例出典型的硅片湿法清洗顺序。
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将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
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化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
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在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。A、耐热陶瓷器皿B、金属器皿C、石英舟D、玻璃器皿
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用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。A、重要步骤B、次要步骤C、首要步骤D、不一定
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锌镀层高铬钝化时，根据钝化膜的形成环境，我们称之为（）。A、气相成膜B、液相成膜C、铬酸成膜D、硫酸成膜
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制作太阳电池的工艺中不包括下列哪个方面（）。A、硅片表面准备B、制备防透膜C、去背结D、制结
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单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
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单选题不可以作为芯片固相载体的有（）A玻片B硝酸纤维素膜C硅片D尼龙膜E滤纸
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问答题硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？
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单选题硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A对B错
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判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
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问答题将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？
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问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
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问答题硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？
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填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
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单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
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问答题硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？
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单选题构成胎盘组织正确的是（　）A平滑绒毛膜、包蜕膜、羊膜B平滑绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜C叶状绒毛膜、包蜕膜、真蜕膜D叶状绒毛膜、底蜕膜、真蜕膜E叶状绒毛膜、底蜕膜、羊膜
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问答题简述硅片清洗目标
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单选题关于胎盘的组成的描述正确的是（　　）。A叶状绒毛膜、真蜕膜、底蜕膜B叶状绒毛膜、羊膜、底蜕膜C滑泽绒毛膜、羊膜、包蜕膜D滑泽绒毛膜、真蜕膜、底蜕膜E叶状绒毛膜、包蜕膜、真蜕膜
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