微波炉烹调对容器的选择有特定要求,常用玻璃和陶瓷,不能选用金属器皿。( ) 此题为判断题(对，错)。
每批料中焦炭先装入炉内，矿石后装入炉内的称为正装。此题为判断题(对，错)。
气体扩散法是将含有磷的气体在高温（）度下向硅片进行扩散。A、200--400B、800--900C、1000—1500D、2000—5000
微波炉在无食物加热时不（），且绝对不把金属器皿放入炉内加热。A、通电B、通气C、通光D、通水
扩散炉中的管道一般都是用（）制作。A、陶瓷B、玻璃C、石英D、金属
硅片扩散工艺结束后应抽取（）片来检测。A、5B、6C、3D、4
在转炉分阶段定量装入制度中，炉役后期比炉役前期的装入量（）。A、少B、多C、一样
每批炉料的矿石先装入炉内，焦炭后装入炉内，称为（）装。
在钢包内进行合成渣洗的操作属于（）。A、沉淀脱氧方式B、炉内扩散脱氧方式C、炉外扩散脱氧方式
若火焰扩散速度比混合气流速度快，则火焰扩散上窜将烧坏转化炉烧嘴，若混合气流速度比火焰扩散速度快，则会把转化炉第一点温度拉跨
（）不可用于微波炉加热时盛装食品。A、带有精美金银饰线的陶瓷器皿B、普通玻璃器皿C、保鲜纸D、铝箔纸
微波炉在无食物加热时不能（），且绝对不能把金属器皿放入炉内加热。A、通电B、通水C、通气D、通光
当炉内温度较高，化学反应速度较快，燃烧速度决定于炉内氧气的扩散速度，这种燃烧称（）。A、动力燃烧B、扩散燃烧C、过渡燃烧D、完全燃烧
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
气体扩散法是将含（）的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（），一般都用这一方法。
涂层扩散法是用含有磷的溶液代替（）进行（）和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。
扩散硅压力变送器输出电流始终在4mA以下，出现这种情况最有可能的原因是（）。A、传感器隔离膜片发生了位移B、硅片的两侧形成了差压C、桥路电源开路或扩散硅传感器开路D、量程微调电位器损坏
微波炉内盛放食品的器皿可以是（）。A、不锈钢碗B、一次性发泡塑料碗C、搪瓷盆D、耐热玻璃器皿
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错
填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
单选题硅片扩散工艺结束后应抽取（）片来检测。A5B6C3D4
单选题气体扩散法是将含有磷的气体在高温（）度下向硅片进行扩散。A200--400B800--900C1000—1500D2000—5000
判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。A对B错
判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对B错
判断题扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A对B错