测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V，则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
在某放大电路中,测得三极管各电极对‘地’的电压分别为6V/9.8V/10V,由此可判断该三极管为（）（A）NPN硅管（B）NPN锗管（C）PNP硅管（D）PNP锗管
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V=-1．7V，V=-1．4V，VC=5V，则该管类型为（）。A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
NPN、PNP三极管工作放大状态时，其发射结（）。A、均加反向电压B、均加正向电压C、NPN管加正向电压，PNP管加反向电压D、NPN管加反向电压，PNP管加正向电压
NPN、PNP三极管作放大时，其发射结（）。A、均加反向电压B、均加正向电压C、NPN管加正向电压、PNP管加反向电压D、PNP管加正向电压、NPN管加反向电压
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
NPN、PNP三极管做放大器时，其发射结（）A、均反向电压B、均正向电压C、仅NPN管反向电压D、仅PNP管反向电压
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。A、0.2～0.3；B、0.4；C、0.6～0.7；D、0.5。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）A、硅NPN管B、锗NPN管C、硅PNP管D、锗PNP管
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错