锗材料二极管的死区电压为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

锗材料二极管的死区电压为()V。

  • A、0.1
  • B、0.3
  • C、0.5
  • D、0.7

相关考题:

锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5

锗材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对,错)。

三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对,错)。

硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

硅二极管的死区电压一般为0.2V。

锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V

半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。A、0.1~0.3VB、0.3~0.5VC、0.5~0.7VD、0.7~0.8V

锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。

二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。

什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?

硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。

硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

二极(锗)管的死区电压为()。A、0.1VB、0.2VC、0.3VD、0.5V

硅材料二极管的死区电压为0.3V。

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?

问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。A对B错