锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
锗材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对,错)。
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对,错)。
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。A、0.1~0.3VB、0.3~0.5VC、0.5~0.7VD、0.7~0.8V
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?
硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
二极(锗)管的死区电压为()。A、0.1VB、0.2VC、0.3VD、0.5V
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。A对B错