单选题在离子晶体中，当正负离子半径比值在0.225～0.414的范围内时，形成（）A四面体配位B八面体配位C平面三角形配位D立方体配位

单选题
在离子晶体中，当正负离子半径比值在0.225～0.414的范围内时，形成（）
A

四面体配位

B

八面体配位

C

平面三角形配位

D

立方体配位

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下列离子化合物中，阳离子和阴离子半径比值最大的是 （　　）
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在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子，离子之间以离子键结合。
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在同价离子中，离子半径和水化半径越小，交换能力越弱
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在同价离子中，离子半径和水化半径越小，交换能力越强
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在同价离子中，离子半径越小，则电动电势ξ（）。A、越大B、越小C、不确定D、不变
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氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于（）A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层
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混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
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单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于（）A氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层
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填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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单选题当配位多面体为四面体时，正负离子半径比为：（）A0-0.155B0.155-0.225C0.225-0.414D0.732-1
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单选题在离子晶体中，当正负离子半径比值在0.225～0.414的范围内时，形成（）A四面体配位B八面体配位C平面三角形配位D立方体配位
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单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A混晶B吸留C包藏D后沉淀
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单选题当配位多面体为八面体时，正负离子半径比为（）。A0.732-1B0.414-0.732C0.225-0.414D0.155-0.225
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