单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.732~1.0的范围内时,形成()A简单立方配位B面心立方配位C简单立方或面心立方配位

单选题
在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.732~1.0的范围内时,形成()
A

简单立方配位

B

面心立方配位

C

简单立方或面心立方配位


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

下列离子化合物中,阳离子和阴离子半径比值最大的是 (  )

在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

离子半径越大,正负离子间的引力()。A、越大B、越小C、不变D、无关

在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子,离子之间以离子键结合。

在同价离子中,离子半径和水化半径越小,交换能力越弱

在同价离子中,离子半径和水化半径越小,交换能力越强

在同一周期中主族元素随着族数的递增,正离子的电荷数增大,离子半径(),例如()

在同价离子中,离子半径越小,则电动电势ξ()。A、越大B、越小C、不确定D、不变

硅酸盐晶体的分类原则是()。A、正负离子的个数B、结构中的硅氧比C、化学组成D、离子半径

MgO,CaO,SrO,BaO四种氧化物均为NaCl型晶体,在它们的晶体中正离子半径的大小顺序为(),由此可得出晶格能的大小顺序为(),熔点高低顺序为()。

离子晶体晶格能大小仅与离子电荷、离子半径有关。

下列叙述中,哪一个是正确的陈述?()A、金属的离子半径和它的原子半径相同B、金属的离子半径大于它的原子半径C、非金属离子半径与其原子半径相等D、非金属的原子半径大于其离子半径E、金属离子半径小于其原子半径

氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

在下列各种晶体中离子半径最小的是()A、K+B、Ca2+C、Ba2+D、Ti4+E、Ti3+

仅依据离子晶体中正离子半径的相对大小即可决定晶体的晶格类型。

在沉淀形成过程中,与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成()A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀

单选题下列化合物中阴离子半径和阳离子半径之比最大的是(  ).ALiIBNaBrCKClDCsF

填空题晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积(),晶体密度();而有Schtty缺陷时,晶体体积(),晶体密度()。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,()是主要的;两种离子半径相差大时,()是主要的。

单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

单选题当配位多面体为四面体时,正负离子半径比为:()A0-0.155B0.155-0.225C0.225-0.414D0.732-1

单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.225~0.414的范围内时,形成()A四面体配位B八面体配位C平面三角形配位D立方体配位

单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A混晶B吸留C包藏D后沉淀

单选题硅酸盐晶体的分类原则是()。A正负离子的个数B结构中的硅氧比C化学组成D离子半径

单选题当配位多面体为八面体时,正负离子半径比为()。A0.732-1B0.414-0.732C0.225-0.414D0.155-0.225