在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子,离子之间以离子键结合。

在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子,离子之间以离子键结合。


相关考题:

下列关于晶格能的说法正确的是() A、晶格能是指标准态下气态阳离子与气态阴离子生成1mol离子晶体所释放的能量B、晶格能是标准态下由单质化合成1mol离子化合物时所释放的能量C、晶格能是指标准态下气态阳离子与气态阴离子生成离子晶体所释放的能量D、晶格能就是组成离子晶体时,离子键的键能

离子晶体所以有脆性是由于()。 A.离子排列不能错位B.离子键结合力大C.离子键有方向性D.三种原因都有

下列晶体中,以离子键为主的是( )。A、NaF晶体B、碘晶体C、SiO2晶体D、TiO2晶体

晶体由分子、原子、离子结合而成,其结合的基本键型有( )。A.化学键、氢键B.离子键、金属键C.共价键、离子键、分子键、金属键D.金属键、范德华力

在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

在晶体结点上排列着分子,质点间的作用力是(),这样的晶体是分子晶体。A、离子间力B、分子间力C、质子间力D、物质间力

在金属晶体中晶格结点上排列着金属原子、晶格结点间以金属键结合。

下列各种说法中哪个不正确?()A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

药物与受体之间的可逆的结合方式有()A、疏水键B、氢键C、离子键D、范德华力E、离子偶极

在炉渣离子理论中,下列描述正确的()。A、液态炉渣是由各种不同正负离子所组成的离子溶液B、在炉渣中硅酸根离子和金属之间是离子键C、在离子理论中,半径最小、电荷最多的Si4+与O2结合力最大,形成硅氧复合负离子SiO44-D、离子理论认为,炉渣粘度取决于构成炉渣的硅氧离子的复杂程度,连接形成的负离子群体越庞大越复杂,炉渣粘度也越小

晶体在晶格结点上对称排列的只能是分子。

晶体可按晶格空间结构的区别分为()A、不同的晶系B、原子晶体和离子晶体C、分子晶体和离子晶体D、金属晶体和非金属晶体

离子晶体所以有脆性是由于()。A、离子排列不能错位B、离子键结合力大C、离子键有方向性D、三种原因都有

氧化物MgO、CaO、SrO、BaO均是NaCl型离子晶体,据离子键理论定性比较它们的晶格能大小和熔点的高低。

离子晶体晶格能大小仅与离子电荷、离子半径有关。

晶体膜电极的选择性取决于()A、被测离子与共存离子的迁移速度;B、被测离子与共存离子的电荷数;C、共存离子在电极上参与响应的敏感程度;D、共存离子与晶体膜中的晶格离子形成微溶性盐的溶解度或络合物的稳定性。

氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

下列说法不正确的是()。A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

根据晶体物质的晶格结点上占据的质点种类(分子、原子、离子)不同与质点排列方式不同,把晶体分为几种类型()。A、1种B、2种C、3种D、4种

仅依据离子晶体中正离子半径的相对大小即可决定晶体的晶格类型。

名词解释题离子晶体晶格能

单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

多选题药物与受体之间的可逆结合方式是()A疏水键B氢键C离子键D范德华力E离子-离子偶极

单选题下列各种说法中哪个不正确?()A离子晶体在熔融时能导电B离子晶体的水溶液能导电C离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

单选题下列说法不正确的是()。A离子晶体在熔融时能导电B离子晶体的水溶液能导电C离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

单选题根据晶体物质的晶格结点上占据的质点种类(分子、原子、离子)不同与质点排列方式不同,把晶体分为几种类型()。A1种B2种C3种D4种

单选题晶体膜电极的选择性取决于()A被测离子与共存离子的迁移速度;B被测离子与共存离子的电荷数;C共存离子在电极上参与响应的敏感程度;D共存离子与晶体膜中的晶格离子形成微溶性盐的溶解度或络合物的稳定性。