仅依据离子晶体中正离子半径的相对大小即可决定晶体的晶格类型。

仅依据离子晶体中正离子半径的相对大小即可决定晶体的晶格类型。


相关考题:

下列关于晶格能的说法正确的是() A、晶格能是指标准态下气态阳离子与气态阴离子生成1mol离子晶体所释放的能量B、晶格能是标准态下由单质化合成1mol离子化合物时所释放的能量C、晶格能是指标准态下气态阳离子与气态阴离子生成离子晶体所释放的能量D、晶格能就是组成离子晶体时,离子键的键能

晶体结构类型相同的情况下,组成矿物的离子半径增加幅度小于相对原子质量增加幅度时,矿物的相对密度主要取决于相对原子质量的大小。() 此题为判断题(对,错)。

在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子,离子之间以离子键结合。

常见晶体结构类型:()、面心立方晶格、密排六方晶格。

下列各种说法中哪个不正确?()A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

下列离子晶体中,晶格能最大的是()A、NaFB、NaClC、NaBrD、NaI

晶体可按晶格空间结构的区别分为()A、不同的晶系B、原子晶体和离子晶体C、分子晶体和离子晶体D、金属晶体和非金属晶体

晶体类型相同而化学组成不同的矿物,其相对密度主要取决于()。A、所含元素的相对原子质量B、所含元素的离子半径C、所含元素的原子半径D、所含元素的相对原子质量及其原子或离子的半径

晶体结构类型相同的情况下,组成矿物的离子半径增加幅度小于相对原子质量增加幅度时,矿物的相对密度主要取决于相对原子质量的大小。

硅酸盐晶体的分类原则是()。A、正负离子的个数B、结构中的硅氧比C、化学组成D、离子半径

MgO,CaO,SrO,BaO四种氧化物均为NaCl型晶体,在它们的晶体中正离子半径的大小顺序为(),由此可得出晶格能的大小顺序为(),熔点高低顺序为()。

氧化钙晶体中晶格结点上的粒子为()和();粒子间作用力为(),晶体类型为()。

氧化物MgO、CaO、SrO、BaO均是NaCl型离子晶体,据离子键理论定性比较它们的晶格能大小和熔点的高低。

离子晶体晶格能大小仅与离子电荷、离子半径有关。

氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

下列说法不正确的是()。A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

根据晶体物质的晶格结点上占据的质点种类(分子、原子、离子)不同与质点排列方式不同,把晶体分为几种类型()。A、1种B、2种C、3种D、4种

混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

名词解释题离子晶体晶格能

填空题晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积(),晶体密度();而有Schtty缺陷时,晶体体积(),晶体密度()。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,()是主要的;两种离子半径相差大时,()是主要的。

单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

单选题下列各种说法中哪个不正确?()A离子晶体在熔融时能导电B离子晶体的水溶液能导电C离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

单选题下列说法不正确的是()。A离子晶体在熔融时能导电B离子晶体的水溶液能导电C离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

填空题晶体结构类型相同的情况下,组成矿物的离子半径增加幅度小于原子量增加幅度时,矿物的相对密度主要取决于()。

单选题下列因素对离子晶体晶格能产生影响最大的是(  )。A正、负离子的半径比B正、负离子所带的电荷C晶体类型D正、负离子的配位数