以现有的产品为中心,向左右生产工艺相近的相关产品领域拓展的战略是( )。 A.横向多样化战略B.纵向多样化战略C多向多样化战略D.复合多样化战略
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
（）即以现有的产品为中心，向左右生产工艺相近的相关产品领域拓展的战略。A、横向多样化战略B、纵向多样化战略C、多向多样化战略D、复合多样化战略
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A对B错
问答题简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
问答题在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。A对B错
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对B错
问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？