外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
统计推断的结论可能存在（）。A、推断误差B、不确定性C、逻辑错误D、不可行性E、外延错误
问答题简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
多选题统计推断的结论可能存在（）A推断误差B不确定性C逻辑错误D不可行性E外延错误
问答题简述微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延。
问答题简述系统误差、随机误差和粗大误差的含义及减小误差的方法。