场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
场效应管本质上是一个( )。A.电流控制电流源器件B.电流控制电压源器件C.电压控制电流源器件D.电压控制电压源器件
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
半导体三极管本质上是一个（）器件。A、电流控制的电压源B、电压控制的电压源C、电流控制的电流源D、电压控制的电流源
无源光器件要求在光纤传输系统中不受（）变化的影响。A、湿度B、温度C、电压D、电流
场效应管本质上是一个（）A、电流控制电流源器件B、电压控制电流源器件C、电流控制电压源器件D、电压控制电压源器件
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种（）器件。A、电压控制电压源B、电流控制电压源C、电压控制电流源D、电流控制电流源
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
判断题对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。A对B错
判断题从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A对B错
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A积累B耗尽C导通D夹断
单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A增大B减小C不变D先减小后增大
单选题场效应管本质上是一个（）A电流控制电流源器件B电流控制电压源器件C电压控制电流源器件D电压控制电压源器件
单选题无源光器件要求在光纤传输系统中不受（）变化的影响。A湿度B温度C电压D电流
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样的特点？若没有，请说明原因。