当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
相关考题：
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
窗体Form1上有一个名称为Command1的命令按钮，以下对应窗体单击事件的事件过程是（ ）。A.Private Sub Form1 Click（ ）End Sub···B.Private Sub Form1. Click（ ）End Sub···C.Private Sub Command1 click（ ）End Sub···D.Private Sub Command Click（ ）End Sub···
在窗体上画一个名称为Timer1的计时器、一个名称为Command1的命令按钮和一个名称为Labell的标签。程序如下： Private Sub Command1_Click() Timer1．Enabled=True Timer1．Interval=1000 End Sub Private Sub Timerl_timer() Labell．Caption=Time End Sub 当运行程序后，单击命令按钮，将在标签中显示的内容为A．TimeB．TrueC．1000D．10：06：55
窗体Forml上有一个名称为Commandl的命令按钮，以下对应窗体单击事件的事件过程是A．Private Sub Forml_Click() … End SubB．Private Sub Form_Click() … End SubC．Private Sub Commandl_Click() … End SubD．Private Sub Command_Click() … End Sub
在窗体中添加一个名称为Commandl的命令按钮，然后编写如下程序：Public X As Integer Private Sub Commandl Click（ ）x＝10 Call slCall s2MsgBox x End Sub Private Sub sl（ ）x＝x+20 End Sub Private Sub s2（ ）Dim x As Integer x=x+20End Sub窗体打开运行后，单击命令按钮，则消息框的输出结果为（ ）。A.10B.30C.40D.50
设在窗体上有一个名称为Commandl的命令按扭和一个名称为Textl的文本框。要求单击Commandl按钮时可把光标移到文本框中。下面正确的事件过程是。 A．Private Sub Commandl_Click B．Private Sub Commandl_Click Textl．GotFocus Commandl．GotFocus End Sub End Sub C．Private Sub Commandl_Click D．Private Sub Commandl_Click Textl．SetFocus Commandl．SetFocus End Sub End sub
在窗体上画一个名称为Command1的命令按钮，然后编写如下事件过程： Private Sub Command1_Click() Call sub1(-15.1,2.54) End Sub Public Function sub1(a As Integer,ByVa1 b As String) As Integer a＝Val(B)sub1=a Print sub1 End Function 程序运行后，单击命令按钮，在窗体上输出的是A．3B．2C．-15D．提示出错
窗体Form. 1上有一个名称为Command 1的命令按钮，以下对应窗体单击事件的事件过程是A）Private Sub Form. 1_Click() B）Private Sub Form. _Click()End Sub End SubC）Private Sub Commandl_Click() D）Private Sub Command_ Click()End Sub End Sub
设当前目录是根目录，使用第（）组命令不能在一级子目录SUB1下建立二级子目录SUB11。A、CD SUB1（回车）MD SUB11B、MD SUB1/SUB11C、MD SUB11D、MD/SUB1/SUB11
单选题永续盘存法公式为（）AKsubt/sub＋1＝Isubt/sub－（1－δ）Ksubt/subBKsubt/sub＋1＝It＋（1－δ）Ksubt/subCKsubt/sub＋1＝Isubt/sub＋（1＋δ）Ksubt/subDKsubt/sub＋1＝Isubt/sub－（1＋δ）Ksubt/sub
单选题A pIsub2/sub=Isub3/sub/pB pIsub2/sub=4Isub3/sub/pC pIsub2/sub=2Isub3/sub/pD pIsub3/sub=4Isub2/sub/p
多选题标准砝码的质量为m，测量得到的最佳估计值为100.02147g，合成标准不确定uc(ms) 为0.35mg，取包含因子k=2，以下表示的测量结果中 ( ) 是正确的。Apmsubs/sub=100.02147g；U=0.70mg，k=2/pBpmsubs/sub=(100.02147±0.00070)g；k=2/pCpmsubs/sub=100.02147g；usubc/sub(msubs/sub)=0.35mg，k=1/pDpmsubs/sub=100.02147g；usubc/sub(msubs/sub)=0.35mg/p
单选题正态分布时，算术平均数、中位数、众数的关系为（）Amsub0/sub＜msube/sub＜(xBmsub0/sub＝msube/sub＝(xCmsub0/sub＞msube/sub＞(xDmsube/sub＜msub0/sub＜(x
单选题标称值为10kΩ的标准电阻在23℃时的校准值Rs为9.9999315kΩ，合成标准不确定度为52mΩ。在被测量服从正态分布的情况下，当包含概率为95%时，测量结果可表示为( )。ApRsubs/sub=9.99993kΩ，Usub95/sub=0.10Ω，ksub95/sub=1.96/pBpRsubs/sub=9.999931kΩ，Usub95/sub=0.10Ω，ksub95/sub=1.96/pCpRsubs/sub=9.99993kΩ，Usub95/sub=102mΩ，ksub95/sub=1.96/pDpRsubs/sub=9.999931kΩ，Usub95/sub=102mΩ，ksub95/sub=1.96/p
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。