判断题硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。A对B错

判断题
硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

APTT试验,加入白陶土的作用是A.为凝血因子提供催化表面B.激活因子Ⅶ、ⅨC.激活因子Ⅻ、ⅪD.激活凝血酶E.去除血浆杂质

在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子

关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

杂质半导体()A、自由电子和空穴的浓度不相等B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度无法确定

纯净的半导体中,自由电子和空穴数目有限,因而导电能力差。但如果在其中掺以杂质,则导电能力会大大提高

半导体中的导电方式的最大特点是:()A、自由电子导电B、离子导电C、空穴导电D、A或C

中晶体硅或锗中,参与导电的是()A、离子B、自由电子C、空穴D、B和C

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

PN结形成后,空间电荷区由()构成。A、价电子B、自由电子C、空穴D、杂质离子

杂质半导体中()的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是

V族杂质在硅锗中电离,故放出电子产生导电导子形成正电中心,称为(),释放电子的过程称为()。依靠()的半导体称为n型半导体。

判断题半导体中存在两种载流子,只有自由电子参与导电,而空穴不参与导电。A对B错

单选题中晶体硅或锗中,参与导电的是()A离子B自由电子C空穴DB和C

填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火

填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子,同时向导带提供电子,使半导体成为电子导电的()型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子,同时向价带提供空穴.使半导体成为空穴导电的()型半导体。

单选题APTT试验,加入白陶土的作用是()。A为凝血因子提供催化表面B激活因子Ⅷ、ⅨC激活因子Ⅻ、ⅪD激活凝血酶E去除血浆杂质

单选题在P型半导体中多数载流子是()。A电子B离子C空穴D杂质

单选题关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

单选题关于P型、N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。A无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

单选题晶体硅或锗中,参与导电的是()。A离子B自由电子C空穴DB和C

填空题自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。

单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()A温度B杂质浓度C电子空穴对数目D都不是

单选题杂质半导体()A自由电子和空穴的浓度不相等B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度无法确定

判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。A对B错