当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响。
当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响。
相关考题：
下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c，d和e都对
下列关于磁化操作的叙述中，正确的是（）A、决定磁化方法时，必须考虑磁化方向，尽可能使缺陷阻挡较多的磁力线B、当不知道缺陷方向时，必须改变磁化磁场方向，进行两次以上的磁化操作C、在线圈内磁化粗短零件时，可将几个零件按预计的缺陷方向连接D、磁化时，应尽可能使探伤面和磁场方向垂直E、A和B
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E、除A以外都对
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对
下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
单选题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E除A以外都对
单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响Fc，d和e都对
单选题下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
单选题下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
填空题磁粉探伤时应尽量使磁化电流方向（）于缺陷方向，或尽量使磁场方向（）于缺陷方向，这样缺陷处才易于堆积磁粉而显示缺陷的存在