判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关A对B错

判断题
在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关
A

B


参考解析

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在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关

能正确发现焊缝内部缺陷类型和形状大小的探伤方法是()探伤。A、超声波B、射线C、磁粉

能够正确发现缺陷大小和形状的探伤方法是()。A、x射线检验B、超声波探伤C、磁粉探伤D、着色检验

能正确发现缺陷大小和形状的探伤方法是()。A、x射线探伤B、磁粉探伤C、渗透探伤

下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A、与试件上总的磁通密度有关B、与缺陷自身高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关

磁粉探伤时应尽量使磁化电流方向()于缺陷方向,或尽量使磁场方向()于缺陷方向,这样缺陷处才易于堆积磁粉而显示缺陷的存在

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的A、磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c,d和e都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A、它与试件上的磁通密度有关B、它与缺陷的高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关

磁粉探伤时,磁感应强度方向和缺陷方向越是近于平行,就越是易于发现缺陷。

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对

磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。

磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。

能够正确发现缺陷大小和形状的探伤方法是()。A、X射线探伤B、超声波探伤C、磁粉探伤

填空题磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。

单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A它与试件上的磁通密度有关B它与缺陷的高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

填空题磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关A对B错

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关A对B错

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关A对B错

填空题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关;与缺陷的()和()有关

单选题下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A与试件上总的磁通密度有关B与缺陷自身高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

填空题磁粉探伤时应尽量使磁化电流方向()于缺陷方向,或尽量使磁场方向()于缺陷方向,这样缺陷处才易于堆积磁粉而显示缺陷的存在

单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的A磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关B缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小C在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响Fc,d和e都对