下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A、与试件上总的磁通密度有关B、与缺陷自身高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()

  • A、与试件上总的磁通密度有关
  • B、与缺陷自身高度有关
  • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
  • D、以上都对

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下列关于漏磁通的叙述,正确的是()A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化

当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响。

关于零点漂移产生的原因下列叙述正确的是()。A、电路元件本身缺陷B、电源电压波动C、电路级数过多

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的()%时,缺陷漏磁通开始急剧增大

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的A、磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c,d和e都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A、它与试件上的磁通密度有关B、它与缺陷的高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是()A、缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响;E、除A以外都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对

下列有关漏磁通的叙述正确的是()。A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。

磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。

在电磁学中,关于磁路的概念,下列正确说法是().A、磁力线所经过的路线B、主磁通形成闭合回路所经过的路径C、漏磁通形成闭合回路所经过的路径D、主磁通与漏磁通共同经过的路径

填空题磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。

单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A它与试件上的磁通密度有关B它与缺陷的高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

填空题磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关A对B错

填空题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关;与缺陷的()和()有关

单选题下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A与试件上总的磁通密度有关B与缺陷自身高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

多选题关于零点漂移产生的原因下列叙述正确的是()。A电路元件本身缺陷B电源电压波动C电路级数过多

单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的A磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关B缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小C在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响Fc,d和e都对

单选题下列关于漏磁通的叙述,正确的是()A内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降D用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化

单选题下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()A内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

单选题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是()A缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小B在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响C交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响;E除A以外都对