关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管

关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。

  • A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管
  • B、NPN管反向漏电流小于PNP管
  • C、电压越高越大
  • D、NPN管反向漏电流大于PNP管

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晶体管工作在放大区时,发射结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
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场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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晶体管工作在放大区时,集电结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
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晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
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使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?() A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM
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二极管加反向电压时,反向电流很小,所以晶体管的集电结加反向电压时,集电极电流必然很小。() 此题为判断题(对，错)。
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描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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晶体管管帽上的色点表示该晶体管的（）A、电流放大系数B、反向饱和电流C、穿透电流
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螺杆中，逆流的方向正好与（）反向。A、正流B、横流C、漏流D、倒流
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当晶体管上的反向电压高于某值，反向电流会突然增大，这个电压叫（）。A、死区电压B、反向击穿电压
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晶体管的反向饱和电流是指发射极e开路时（）极之间的反向饱和电流。A、e和bB、e和cC、c和bD、b和f
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二极管反偏时，以下说法正确的是（）A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流B、在达到死区电压之前，反向电流很小C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关D、在达到反向击穿电压之前通过电流很大，称为反向饱和电流
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场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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反向器的饱和工作条件是输入信号向晶体管提供的基极电流必须（）临界饱和基极电流。A、大于B、小于C、等于D、不等于
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二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
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晶体管的放大作用主要表现在（）。A、电流放大B、电压放大C、正向放大D、反向放大
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温度对晶体管特性的影响主要包括以下哪些（）。A、UBEB、集电极、基极间的反向饱和电流ICBOC、放大系数β
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温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A、增大B、减少C、不变D、不能确定
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当温度升高时，晶体管的β（），反向电流（），UBE（）
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如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（）A、反向B、近似等于零C、不变D、增大
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晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（）。
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以下关于记账差错处理说法的正确是（）。A、所有当日差错均可以抹帐B、以前年度账务差错可以红字冲账C、当年发现的差错反向更正D、凭证填写错误账务记载错误，且凭证与账务一致的，若不涉及客户账，凭相关依据可以直接抹账或冲正
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关于晶体管的反向漏电流，相同功率的锗管反向漏电流大于（）反向漏电流。
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问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
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单选题温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A增大B减少C不变D不能确定
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单选题晶体管的放大作用主要表现在（）。A电流放大B电压放大C正向放大D反向放大
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