单选题NMOS器件的衬底是()型半导体。AN型BP型C本征型D耗尽型

单选题
NMOS器件的衬底是()型半导体。
A

N型

B

P型

C

本征型

D

耗尽型


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半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件

下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。

整流电路主要是利用()实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性

不论P型半导体还是N型半导体,就半导体器件来说都是带电的。

()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体

依托哪里的半导体照明工程产业化基地和一批核心企业,大力推进硅衬底发光材料生产新工艺产业化,重点发展半导体发光材料和器件、新型显示器、节能照明产品,提升产业层次,延长产业链,扩大产业规模。()A、新余B、上饶C、南昌

对于绝缘栅场效应管,无论增强型还是耗尽型,只要是N沟道器件,UDS应为负值,衬底接最低电位,UGS越向正值方向增大,硒越小

晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件

单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。

在数据避雷器中有两种动作类型防雷器件,一种是(),比如压敏电阻,半导体稳压管等;另一种是导通型器件,比如气体管、固体管、雪崩二极管等。A、钳位型器件B、导通型器件C、线性器件

80C51芯片采用的半导体工艺是()。A、CMOSB、HMOSC、CHMOSD、NMOS

场效应管属于()型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是()型器件。

P型半导体和N型半导体中都有载流子,但就半导体器件本身都是()A、不带电的B、带正点的C、带负电的

填空题现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺,即最基本的器件是由()和NMOS组成。

问答题采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?

填空题金属-半导体接触分:()三种。当半导体衬底浓度 低于()时,只能产生(),当半导体衬底浓度 高于()时 可实现()。

单选题具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D触发型器件

填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加(),并用金属线把这个()与P型衬底内的()电位相连接。

判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺,NMOS的衬底应该接到高电位上。A对B错

多选题下列属于电流驱动型功率半导体器件的是()。AGTOBGTRC功率MOSFETDIGBT

单选题关于P型半导体的下列说法,错误的是()。A空穴是多数载流子B在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

填空题在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时,接近半导体表面处的()被排斥,留下()形成()。

单选题关于N型半导体的下列说法,正确的是()。A只存在一种载流子:自由电子B在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体D在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

填空题P沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。

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