获得性薄膜是（ ）A、成釉细胞在釉质表面分泌的薄膜B、结合上皮在釉质表面分泌的薄膜C、唾液蛋白在牙面的沉积物D、黏附于牙面的软性沉积物E、附着在牙面上硬性沉积物
电镀是在直流电场作用下,利用( )原理使金属或合金沉积在零件表面上,形成均匀、致密、结合力强的金属( )的过程。 A.电离B.电解C.镀层D.薄膜
制粉系统的防爆门通常是用金属薄膜按一定要求制成，其承压强度很小。
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A、薄膜沉积B、薄膜成长C、蒸发D、溅射
简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？
下述关于电解沉积和电解精炼的说法哪些是正确的？（）A、电解沉积中金属离子在阳极上沉积形成致密金属；B、电解精炼中金属离子在阳极上沉积形成致密金属；C、电解精炼中金属离子在阴极上沉积形成致密金属；D、电解沉积中阳极一般是不溶阳极
磁光盘记录信息的载体是（）A、磁铁B、磁光薄膜C、染料D、集成电路
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
带钢的印刷材料通常为三种：（）。A、树脂薄膜B、底面漆C、金属油墨D、上光漆E、正面漆
集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
在缓释施药方法中，通常采用（）装磷化铝。A、聚酯薄膜袋B、复合薄膜袋C、聚乙烯薄膜袋D、聚丙烯薄膜袋
金属氧化物沉积、胶体污染通常发生在反渗透设备的第二段膜元件内。
（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A、薄膜成长B、蒸发C、薄膜沉积D、溅射E、以上都正确
（）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
由厚膜或薄膜电阻与集成的单片芯片或分立元件组装而成的集成电路调节器为（）。A、混合集成电路调节器B、全集成电路调节器C、半集成电路调节器D、普通集成电路调节器
单选题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A溅射物理气相沉积B蒸发物理气相沉积C等离子增强化学气相沉积D低压化学气相沉积
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
单选题获得性薄膜是（）A成釉细胞在釉质表面分泌的薄膜B结合上皮在釉质表面分泌的薄膜C唾液蛋白在牙面的沉积物D黏附于牙面的软性沉积物E附着在牙面上硬性沉积物
问答题Glue layer（粘合层）的沉积所处的位置、成分、薄膜沉积方法是什么？
单选题在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因（）A钨的导电率比铝更低B钨的刻蚀比铝更容易C采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力D钨与硅的接触性能更好
单选题在大马士革铜工艺中，铜薄膜通常采用（）方式获得。A物理气相沉积B化学气相沉积C电化学镀D热氧化
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。