二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？

二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？

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磁光盘记录信息的载体是（）。 A.集成电路B.染料C.磁光薄膜D.磁铁
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简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
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二氧化硅膜的质量要求有（）。A、薄膜表面无斑点B、薄膜中的带电离子含量符合要求C、薄膜表面无针孔D、薄膜的厚度达到规定指标E、薄膜厚度均匀，结构致密
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干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好B、生长的二氧化硅干燥C、生长的二氧化硅结构致密D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜E、生长的二氧化硅掩蔽能力强
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二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。A、电B、磁C、光D、热
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干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B、氧化的速度慢C、生长的二氧化硅缺陷多D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
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磁光盘记录信息的载体是（）A、磁铁B、磁光薄膜C、染料D、集成电路
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按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
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按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
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集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
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改善塑料薄膜的印刷适性主要有哪些措施？分别具有怎样的原理？
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三种薄膜蒸发器中（）薄膜蒸发器目前应用范围较广
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在冷库中应用塑料薄膜封闭贮藏应注意的问题
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由厚膜或薄膜电阻与集成的单片芯片或分立元件组装而成的集成电路调节器为（）。A、混合集成电路调节器B、全集成电路调节器C、半集成电路调节器D、普通集成电路调节器
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判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。A对B错
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单选题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。A结晶形二氧化硅B无定形二氧化硅
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问答题改善塑料薄膜的印刷适性主要有哪些措施？分别具有怎样的原理？
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填空题集成电路金属薄膜的沉积通常采用（）
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单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③
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多选题采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层，是利用其具有的（）A高电阻率；B高化学稳定性；C低介电常数；D高介电强度。
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填空题用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）
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问答题二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？
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问答题二氧化硅膜在集成电路中有哪些用途？
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填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
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填空题三种薄膜蒸发器中（）薄膜蒸发器目前应用范围较广
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问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
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问答题简述集成电路对薄膜的要求。
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