离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。A、长度B、深度C、宽度D、表面平整度
判断题离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A对B错
问答题离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？
填空题离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
问答题离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
问答题离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？