离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
通常在什么时候设立准备金？（）A、在提出索赔时B、在核实过程中C、保单经核实，索赔被登记之后D、在索赔被转介给专家之后
问答题离子注入后为什么要退火，高温退火和快速热处理哪个更优越，为什么？
问答题为什么晶体晶格离子注入工艺后需要高温退火？使用RTA退火有什么优点？
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
单选题现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）A扩散B化学机械抛光C刻蚀D离子注入
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
问答题离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
单选题通常在什么时候设立准备金？（）A在提出索赔时B在核实过程中C保单经核实，索赔被登记之后D在索赔被转介给专家之后
问答题试对比分析扩散工艺和离子注入工艺的特征和特点。
问答题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。
问答题离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？
问答题为何在离子注入后， 需要热处理（ Thermal Anneal）的工艺？