判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统,在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。A对B错

判断题
CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统,在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。
A

B


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对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

a-Si:H以及合金材料,用()、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。

脑血管疾病(CVD)

关于CVD涂层,()描述是不正确的。A、CVD对高速钢有极强的粘附性B、CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C、CVD涂层具有高耐磨性D、CVD表示化学气相沉积

加氢裂化反应器设计压力为16.5MPa,设计温度为440℃,应选形式为()反应器。A、热壁固定床式B、冷壁固定床式C、移动床式D、经向固定床式

加氢反应器有热壁式、冷壁式和轴向式三种形式。

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单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4

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