杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
什么是“湿热扩散”?湿热扩散对粮食储藏有什么影响?
半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
贮叶配叶工艺中，其工艺任务是：（），进一步平衡叶片水分，实现上下道工序平衡生产。
消除静电危害的主要措施可以分为三类（）。A、泄漏法、断路法和掺杂控制法B、短路法、中和法和材料控制法C、泄漏法、屏蔽法和工艺控制法D、泄漏法、中和法和工艺控制法
造成湿热扩散的原因何在？湿热扩散与储粮稳定性有何关系？
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
问答题经过哪些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。A对B错
问答题造成湿热扩散的原因何在？湿热扩散与储粮稳定性有何关系？