关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。A、恒定总掺杂剂量B、不恒定总掺杂剂量C、恒定杂志浓度D、不恒定杂志浓度
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
施胶的目的是什么？有几种施胶方法？针对各种施胶方法个举出两种典型的施胶剂。
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
本征硅中掺入5价元素的原子，则多数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）；相反少数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）。
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
问答题简述在APCVD SiO2时掺杂PH3，形成磷硅玻璃（PSG）的优缺点。
问答题掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A 温度越高，掺杂越快B 温度越低，掺杂越快C 温度恒定，掺杂最快D 掺杂快慢与温度无关
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。