N型半导体中的自由电子是()形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发

N型半导体中的自由电子是()形成的。

  • A、掺杂
  • B、能量击发
  • C、掺杂与能量击发

相关考题:

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

()自由电子为N型半导体的载流子。

如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。 A、N型B、P型C、本征

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体

半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、杂质型半导体D、本征型半导体

关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

N型半导体中自由电子是少数载流子。

N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。A、N型B、P型C、本征D、PNP型

在硅(或锗)本征半导体中掺入微量的()元素,就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体,即n型半导体。A、三价B、四价C、五价

N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成()A、P型半导体,其少子为自由电子B、N型半导体,其多子为自由电子C、P型半导体,其少子为空穴D、N型半导体,其多子为空穴

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

N型半导体的多数载流子是自由电子,因此N型半导体带负电。

N型半导体中自由电子是()载流子。

本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

半导体中自由电子的数量大大超过“空穴”的数量,成为以自由电子为主的半导体,称为()半导体。A、PN型B、P型C、N型D、NP型

半导体中自由电子与空穴数目相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体此同时B、P型半导体C、本征半导体D、PN型半导体

半导体的自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结

问答题N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

单选题关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?