多选题沉淀被沾污的原因有()A表面吸附B混晶C包藏D后沉淀

多选题
沉淀被沾污的原因有()
A

表面吸附

B

混晶

C

包藏

D

后沉淀


参考解析

解析: 暂无解析

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在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

沉淀重量法在进行沉淀反应时,某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫()现象,其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有()和()。

如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,就可能形成()。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶

杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附

共沉淀现象可能是由()等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏

下列叙述哪些是错误的?()A、沉淀反应后立即过滤可防止后沉淀B、沉淀的表面吸附作用是由于表面离子的力场未饱和所致C、进行陈化操作可减少混晶共沉淀D、AnS在HgS沉淀表面上而不在BaSO4沉淀表面上后沉淀

造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

重量分析中,当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时,其原因是由于()。A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀速度过快D、离子结构类似

形成共沉淀现象的原因有()。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏

下列有关洗涤沉淀的叙述,错误的是()。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多,洗涤效果愈好,但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多,洗涤效果愈好。

用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是()。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀

共沉淀现象是由于沉淀的()作用,混晶或固溶体的形成,吸留和包藏等原因引起的。

在重量分析中,下面说法()是错误的。A、杂质浓度越大,则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀,颗粒越大,则总表面越大,吸附杂质的量越多C、溶液温度升高,吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时,沉淀迅速长大,易使得杂质离子被包藏在沉淀内部

下列有关沉淀纯净叙述错误的是()。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀

沉淀被沾污的原因有()A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀

重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子

Ra2+与Ba2+的离子结构相似,因此可以利用BaSO4沉淀从溶液中富集微量Ra2+,这种富集方式是利用了()A、混晶共沉淀B、包夹共沉淀C、表面吸附共沉淀D、固体萃取共沉淀

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

在下列叙述中,正确的是()A、在重量分析中,需高温灼烧才能得到称量形式的沉淀,应选玻璃砂芯坩埚或玻璃砂芯漏斗作为滤器B、同一种沉淀,小颗粒溶解度大C、重量分析,要求在溶液中沉淀溶解损失的量小于0.5mgD、引起后沉淀的原因是表面吸附、吸留、形成混晶

重量分析中,若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀

单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A混晶B吸留C包藏D后沉淀

单选题重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A构晶离子B高价离子C极化程度大的离子D浓度大的离子

单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A后沉淀B机械吸留C包藏D混晶

单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀