描述均数抽样误差大小的指标是A、SB、S/n√C、CVD、MSE、σ
2）步骤二中发生反应的化学方程式是_____，该反应___________（填“是”或“不是”）步骤一中反应的逆反应。
描述率的抽样误差的指标是A.sB.sC.CVD.RE.Q-Q
下面量数中，有单位的是()A.μB.MdnC.CVD.S
描述均数抽样误差大小的指标是A.SB.S/n√C.CVD.MSE.σ
质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
氨合成反应机理可以分成（）个步骤来描述。A、5B、6C、7D、3
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。A、CVD对高速钢有极强的粘附性B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C、CVD涂层具有高耐磨性D、CVD表示化学气相沉积
操作顺序图法的分析步骤，至少应包括下列步骤中的一个（）.A、规定作业顺序B、存在错误操作顺序的描述C、反应时间分析D、人-机连接分析
用于描述均数的抽样误差大小的指标是（）。A、SB、S/√nC、CVD、RE、S2
问答题为适应CVD技术的需要，选择原料、产物及反应类型等通常需满足什么要求？
问答题化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？
单选题操作顺序图法的分析步骤，至少应包括下列步骤中的一个（）.A规定作业顺序B存在错误操作顺序的描述C反应时间分析D人-机连接分析
问答题根据缩芯模型，描述H2S和ZnO反应的宏观步骤。
单选题关于CVD涂层，（）描述是不正确的。ACVD表示化学气相沉积BCVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的CCVD涂层具有高耐磨性DCVD对高速钢有极强的粘附性
填空题CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。
问答题什么是CVD中的气缺现象？解决气缺现象的措施？
判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。A对B错
问答题解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？